@MastersThesis{SilvaJr:2010:TrMaMe,
               author = "Silva Junior, Ata{\'{\i}}de Ribeiro da",
                title = "Tratamento de materiais met{\'a}licos via implanta{\c{c}}{\~a}o 
                         i{\^o}nica por imers{\~a}o em plasma de nitrog{\^e}nio em 
                         ambiente com baixa concentra{\c{c}}{\~a}o de oxig{\^e}nio",
               school = "Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais",
                 year = "2010",
              address = "S{\~a}o Jos{\'e} dos Campos",
                month = "2010-09-28",
             keywords = "implanta{\c{c}}{\~a}o i{\^o}nica, alum{\'{\i}}nio, 
                         oxig{\^e}nio residual, Analisador de Gas Residual (RGA), ion 
                         implantation, aluminium, residual oxigen, Residual Gas Analyzer 
                         (RGA).",
             abstract = "Neste trabalho investigamos os efeitos dos elementos contaminantes 
                         presentes na c{\^a}mara de v{\'a}cuo do sistema 3IP, em 
                         particular, do oxig{\^e}nio residual que forma compostos 
                         {\'o}xidos na superf{\'{\i}}cie, sendo grande respons{\'a}vel 
                         pela necessidade de alta energia de implanta{\c{c}}{\~a}o dos 
                         {\'{\i}}ons para se obter camadas tratadas de espessuras 
                         razo{\'a}veis. Foi utilizado um espectr{\^o}metro de massa (RGA) 
                         de filtro quadrupolar para se verificar a composi{\c{c}}{\~a}o 
                         residual do v{\'a}cuo e press{\~o}es relativas dos elementos 
                         presentes na c{\^a}mara. Encontrou-se uma grande 
                         propor{\c{c}}{\~a}o de oxig{\^e}nio residual para um v{\'a}cuo 
                         com uma press{\~a}o de 1x10\$^{-3}\$ Pa. Minimizando a 
                         presen{\c{c}}a de oxig{\^e}nio residual em cerca de 80\%, 
                         atrav{\'e}s de limpezas eficazes das paredes da c{\^a}mara por 
                         descarga luminescente e alimenta{\c{c}}{\~a}o de g{\'a}s mais 
                         apurada, atenuamos a forma{\c{c}}{\~a}o de {\'o}xidos durante o 
                         tratamento 3IP. Conseguiu-se assim realizar processamentos 3IP 
                         extremamente eficientes em materiais met{\'a}licos, atingindo 
                         camadas implantadas de aproximadamente 50 nm, mesmo em casos como 
                         em ligas de alum{\'{\i}}nio, que normalmente apresentam 
                         dificuldades para implanta{\c{c}}{\~a}o de nitrog{\^e}nio em 
                         baixas energias. Realiza-se o tratamento 3IP de nitrog{\^e}nio 
                         com pulsos de apenas 3 kV e 15x10\$^{-6}\$s de 
                         dura{\c{c}}{\~a}o, numa freq{\"u}{\^e}ncia de 1 kHz com uma 
                         press{\~a}o de opera{\c{c}}{\~a}o de 1 Pa. ABSTRACT: In this 
                         work, we investigated the effects of the contaminants present in 
                         the vacuum chamber of the PI3 system, in particular, the residual 
                         oxygen, which results in the formation of the oxide compounds on 
                         the surface and hence is responsible for the high implantation 
                         energies required to achieve reasonably thick treated layers. We 
                         used a mass spectrometer (RGA) with a quadrupole filter to verify 
                         the composition of the residual vacuum and pressure of the 
                         elements present in the chamber. Initially, we found a high 
                         proportion of residual oxygen in a base pressure of 
                         1x10\$^{-3}\$ Pa. Minimizing the residual oxygen percentage in 
                         about 80\%, by efficient cleaning of the chamber walls and 
                         improving the gas feeding process, we mitigated the formation of 
                         oxides during PI3 process. As a result, we achieved a highly 
                         efficient PI3 processing, obtaining implanted layers reaching 
                         about 50 nm, even in cases such as aluminum alloy, which is very 
                         difficult to nitrogen implant at low energies. We performed 
                         nitrogen PI3 treatments with pulses of only 3 kV and 
                         15x10\$^{-6}\$ s at 1kHz with an operating pressure of 1Pa.",
            committee = "Ueda, Mario (presidente/orientador) and Oliveira, Rog{\'e}rio de 
                         Moraes and Machida, Munemasa",
           copyholder = "SID/SCD",
         englishtitle = "Treatment of metal materials via nitrogen plasma immersion ion 
                         implantation with low oxygen concentration environment",
             language = "pt",
                pages = "118",
                  ibi = "8JMKD3MGP7W/3873HSL",
                  url = "http://urlib.net/ibi/8JMKD3MGP7W/3873HSL",
           targetfile = "publicacao.pdf",
        urlaccessdate = "06 maio 2024"
}